在三星技术论坛上，三星公布了第八代V-NAND的细节。第八代V-NAND堆栈可达200多层，容量可达1Tbit， 512GB容量的厚度仅为0.8mm，可用于手机。

三星的V-NAND闪存现已发展到第七代V-NAND V7，176层堆栈，TLC版核心容量512Gbit，而即将推出的V-NAND V8将有超过 200 层。

虽然三星没有提到具体的层数，但之前的报道指出是228层，增加了约30%，存储密度增加了约40%。 V-NAND V8闪存的单核容量也由之前的512Gbit翻倍至1Tbit，性能也更强。