近日，国际光刻机巨头ASML推出了全新光刻机产品-新型High NA (High Numerical Aperture高数值孔径技术)光刻机。据悉，新型High NA光刻机采用了全新的光学设计，拥有更高的分辨率，可以有效缩小芯片约1.7倍左右，与此同时还能提高芯片的晶圆密度到2.9倍左右，缩小体积同时性能大幅提升，随着High NA光刻机光学分辨率的提升，给未来芯片制造技术层面的突破带来更多的可能（可以轻松突破3nm制程工艺甚至更低）。据官方介绍，新型High NA光刻机的推出还可以极大的提高生产效率，缩短生产时间，降低芯片生产的废品率及成本。
ASML推出最新光刻机-新型High NA光刻机
当前，英特尔、三星及台积电采用的是EUV（极紫外线）光刻机， 目前极限制程可以达到3nm，EUV光刻机的零件有10万，需要40个集装箱运输，单机售价高达1.4亿美元，想要达到量产一台可远远不够。而这台新型High NA光刻机拥有更大的体积，更复杂的设计以及高达3亿美元的售价。目前，有消息称英特尔已经向ASML预定该设备期望能够成为第一个拿到新型High NA光刻机。当然，相信三星和台积电也一定不会置之不理。
芯片这条赛道虽然难，但对于中国来讲是必须要攻克的，否则整个行业都受制于人，势必只能处于“落后追赶”的状态，只有我们自己掌握了核心技术才能获得更好的发展，中国芯片，未来可期！
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